產(chǎn)品特點(diǎn)

v全自動(dòng)分析批量探測(cè)器，單次可讀取64片探測(cè)器（1cm×1cm），單次分析數(shù)量連續(xù)可調(diào)

v全自動(dòng)校正響應(yīng)衰變

v本底低探測(cè)限可達(dá)5 kBq/m³，高探測(cè)限可達(dá)15 MBq/m³

v線性度好于3%

v具有自動(dòng)分辨氡/釷的能力

v全自動(dòng)讀出ID號(hào)

v自動(dòng)對(duì)焦，高性能成像技術(shù)，可區(qū)分蝕刻徑跡和本底

v可全自動(dòng)讀取徑跡探測(cè)器信息，包括自動(dòng)識(shí)別探測(cè)器編碼、自動(dòng)測(cè)量探測(cè)器徑跡計(jì)數(shù)、自動(dòng)識(shí)別有效徑跡、標(biāo)記徑跡的絕對(duì)位置

v徑跡讀數(shù)自動(dòng)轉(zhuǎn)換成劑量，結(jié)果保存在數(shù)據(jù)庫(kù)中，還可把數(shù)據(jù)導(dǎo)出到Excel表中

   技術(shù)參數(shù)

  蝕刻單元

v n蝕刻溶液：6.25mol/L氫氧化鈉溶液

v n蝕刻溫度：95℃

v n蝕刻時(shí)間：<5小時(shí)

v n單次最大蝕刻數(shù)量：≥250個(gè)（1cm*1cm，CR-39），蝕刻數(shù)量連續(xù)可調(diào)

v n蝕刻速率：蝕刻溫度為98 ℃時(shí)，速率為10μm/h

v n自動(dòng)控制整個(gè)化學(xué)蝕刻過程，并顯示當(dāng)前工作狀態(tài)

v n腔體采用堅(jiān)固耐用抗腐蝕的高強(qiáng)度材料